Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center




Полевой транзистор


Полевые транзисторы с управляющим p–n переходом (Junction FET) описываются моделью Шихмана–Ходжеса в соответствии с эквивалентной схемой, представленной на рис. 4.6,а для транзистора с каналом n-типа [4, 7, 33]. Параметры модели полевого транзистора приведены в табл. 4.3.

Таблица 4.3

 Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

VT0

Пороговое напряжение

–2

В

BETA

Коэффициент пропорциональности

10

А/В

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

IS

Ток насыщения p–n-перехода затвор–канал

10

 

А

N

Коэффициент неидеальности p–n-перехода затвор–канал

1

ISR

Параметр тока рекомбинации p–n- перехода затвор–канал

0

А

NR

Коэффициент эмиссии для тока ISR

2

 

ALPHA

Коэффициент ионизации

0

В

VK

Напряжение ионизации для перехода затвор–канал

0

В

RD

Объемное сопротивление области стока   

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока  

0

Ом

CGD

Емкость перехода затвор–сток при нулевом смещении  

0

Ф

CGS

Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении 

0

Ф

M

Коэффициент лавинного умножения обедненного   p–n-перехода затвор–канал

0,5

FC

Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении

0,5

PB

Контактная разность потенциалов p–n-перехода затвора

1

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/

 

BETATCE

Температурный коэффициент BETA

0

%/

XTI

Температурный коэффициент тока IS

3

 

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер–шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер–шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерений

T_ABS

Абсолютная температура

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

<


Содержание  Назад  Вперед