Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center




Полевой транзистор - часть 3


IS(T)=IS·exp[EG(Tnom)/(N·Vt) ·(T/Tnom – 1)](T/Tnom)

;

ISR(T)=ISR·exp[EG(Tnom)/(NR·Vt) ·(T/Tnom–1)](T/Tnom)

;

PB(T)=PB·T/Tnom-3Vt·ln(T/Tnom) –EG(Tnom)·T/Tnom+EG(T);

CGS(T)=CGS{1+M[0,0004(T–Tnom)+1-PB(T)/PB]};

CGD(T)=CGD{1+M[0,0004 (T–Tnom)+1-PB(T)/PB]};

KF(T)=KF·PB(T)/PB, AF(T)=AF·PB(T)/PB.

Зависимость EG от температуры описана в разд. 4.1.

Скалярный коэффициент Area  позволяет учесть параллельное соединение однотипных транзисторов, для чего в приведенной выше модели изменяются следующие параметры:

IS=IS·Area, BETA=BETA·Area, RD=RD/Area, RS=RS/Area, CGS=CGS·Area, CGD=CGD·Area.

Значение Area указывается в задании на моделирование при включении транзистора в схему (п. 3.2.6), по умолчанию Area=1.

В качестве примера приведем описание параметров модели транзистора КП303Е

.model  KP303E  NJF (VTO=-4.12  BETA=782.5u  LAMBDA=9.13m

+   RS=21  RD=21  CGS=4.2pF  CGD=3.8pF  FC=0.5  PB=1  IS=10f)




Содержание  Назад  Вперед