Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center

         

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора


Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaASFET) имеют эквивалентную схему, изображенную на рис. 4.7,а. Существуют четыре разновидности математического описания этой модели, предложенные Куртисом (Curtice) [39–40], Рэйтеоном (Raytheon) [78–79], модель TriQuit [56] и модель Паркера-Скеллерна (Parker–Skellern) [59]. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима, в то время как остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры четырех математических моделей приведены ниже:

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

LEVEL

Тип модели: 1 – модель Куртиса, 2 – модель Рэйтеона, 3 – модель TriQuit, 4 –  модель Паркера–Скеллерна



1

VT0

Барьерный потенциал перехода Шотки

–2,5

В

VBI

Контактная разность потенциалов

1,0

В

ALPHA

Константа, определяющая ток Idrain (Level=1–3)

2,0

1/В

B

Параметр легирования (Level=2)

0,3

1/В

BETA

Коэффициент пропорциональности в выражении для тока стока

0,1

А/В
 

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

GAMMA

Параметр статической обратной связи (для Level=3)

0

DELTA

Параметр выходной обратной связи (для Level=3, 4)

0

(А·В)
 

Q

Показатель степени (для Level=3, 4)

2

RG

Объемное сопротивление области затвора

0

Ом

RD

Объемное сопротивление области стока

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока

0

Ом

CGD

Емкость затвор–сток при нулевом смещении

0

Ф

CGS

Емкость затвор–исток при нулевом смещении

0

Ф

CDS

Емкость сток–исток при нулевом смещении

0

Ф

IS

Ток насыщения p–n-перехода затвор–канал

10
 

А

TAU

Время переноса носителей заряда (Level=1–3)

0

с

M

Коэффициент лавинного умножения перехода затвора (Level=1–3)

0,5

N

Коэффициент неидеальности

1

 

FC

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода затвора

0,5

VBI

Контактная разность потенциалов p–nперехода затвора

1

В

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTI

Температурный коэффициент тока IS

0

 

VDELTA

Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,2

В

VMAX

Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,5

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/
С

BETATCE

Температурный коэффициент BETA

0

%/
C

TRG1

Линейный температурный коэффициент RG

0

1/
C

TRD1

Линейный температурный коэффициент RD

0

1/
C

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

1/
C

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер–шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер–шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерений

C

T_ABS

Абсолютная температура

C

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

C

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

C

<
Специфические параметры модели уровня Level=4

ACGAM

Коэффициент модуляции емкости

0

HFETA

Параметр обратной связи VGS на высокой частоте

0

HFE1

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VGD

0

1/В

HFE2

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VGS

0

1/В

HFGAM

Параметр обратной связи VGD на высокой частоте

0

HFG1

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VSG

0

1/В

HFG2

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VDG

0

1/В

IBD

Ток пробоя перехода затвора

0

А

LFGAM

Параметр обратной связи на низкой частоте

0

LFG1

Коэффициент модуляции LFGAM напряжением VSG

0

1/В

LFG2

Коэффициент модуляции LFGAM напряжением VDG

0

1/В

MXI

Параметр напряжения насыщения

0

MVST

Параметр подпороговой модуляции

0

1/В

P

Показатель степени

2

TAUD

Время релаксации тепловых процессов

0

с

TAUG

Время релаксации параметра обратной связи GAM

0

с

VBD

Потенциал пробоя перехода затвора

1

В

VST

Подпороговый потенциал

0

В

XC

Фактор уменьшения емкости разряда

0

XI

Параметр, определяющий точку излома потенциала насыщения

1000

Z

Параметр точки излома характеристики транзистора

0,5

 

Рис. 4.7.  Нелинейная (а) и линейная (б) схемы замещения арсенидгаллиевого полевого транзитора
Статический режим. Он описывается следующими соотношениями.

 1) Ток затвора равен

Ig = Igs + Igd.

Для моделей LEVEL=1–3

Igs=IS [exp(Vgs/(N·Vt)) –1];

Igd=IS [exp(Vgd/(N·Vt)) –1].

Для моделей LEVEL=4



где



2) Ток стока и истока

Id = Idrain – Igd,  Is

= –Idrain – Igs.

Ток Idrain в модели Куртиса (LEVEL=1) в нормальном режиме (Vds
0) описывается соотношениями:



В модели Рэйтеона (LEVEL=2) в нормальном режиме:



 



где полиномиальная аппроксимация гиперболического тангенса имеет вид



Для модели TriQuit (LEVEL=3) в нормальном режиме



где

Idso = BETA·(Vgs – Vto)
 ·Kt,

Vto = VTO – GAMMA·Vds.

В инверсном режиме (Vds<0) токи стока и истока в приведенных выше соотношениях меняются местами.

Динамический режим. Емкость перехода исток–сток равна Cds=CDS (рис. 4.7, а).

В модели LEVEL=1 емкости Cgs, Cgd определяются выражениями:

емкость затвор–исток равна



емкость затвор–сток равна



В модели LEVEL=2 и 3 эти емкости определяются выражениями:



где









Линейная схема замещения транзистора. Схема приведена на рис. 4.7, б, где дополнительно включены источники флюктуационных токов. Тепловые шумы Iш
, Iш
, Iш
, создаваемые резисторами RS, RD

и RG, имеют спектральные плотности S
=4kT/RS, S
=4kT/RD, S
=4kT/RG.

Источник тока Iшd, характеризующий дробовой и фликкер-шум, имеет спектральную плотность S
 = 8k·T·Gm/3 + KF·Id
/f, где Gm = dIdrain/dVgs –дифференциальная проводимость в рабочей точке по постоянному току.

Температурные эффекты  описываются зависимостями:

IS(T)=IS·exp[EG/(Vt·N) ·(T/Tnom–1)] ·(T/Tnom)
;

VBI(T)=VBI·T/Tnom–3Vt(T)ln(T/Tnom) –EG(Tnom)·T/Tnom+EG(T);

CGS(T)=CGS{1+M[0,0004(T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};

CGD(T)=CGD{1+M[0,0004 (T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};

VTO(T)=VTO+VTOTC·(T–Tnom);

BETA(T)=BETA·1,01
;

RG(T)=RG(1+TRG1(T–Tnom));

RD(T)=RD(1+TRD1(T–Tnom));

RS(T)=RS(1+TRS1(T–Tnom));

KF(T)=KF·VBI(T)/VBI,  AF(T)=AF·VBI(T)/VBI.

Скалярный коэффициент Area  позволяет учесть параллельное соединение однотипных транзисторов, для чего в приведенной выше модели изменяются следующие параметры:

IS=IS·Area, BETA=BETA·Area, RD=RD/Area, RS=RS/Area,

CGS=CGS·Area, CGD=CGD·Area, CDS=CDS·Area.

Значение Area указывается в задании на моделирование при включении транзистора в схему (п. 3.2.6), по умолчанию Area=1.


Содержание раздела