Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center

Контур экстерн Энгельс еще здесь. |

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора


 

Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaASFET) имеют эквивалентную схему, изображенную на рис. 4.7,а. Существуют четыре разновидности математического описания этой модели, предложенные Куртисом (Curtice) [39–40], Рэйтеоном (Raytheon) [78–79], модель TriQuit [56] и модель Паркера-Скеллерна (Parker–Skellern) [59]. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима, в то время как остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры четырех математических моделей приведены ниже:

 

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

LEVEL

Тип модели: 1 – модель Куртиса, 2 – модель Рэйтеона, 3 – модель TriQuit, 4 –  модель Паркера–Скеллерна

1

 

VT0

Барьерный потенциал перехода Шотки

–2,5

В

VBI

Контактная разность потенциалов

1,0

В

ALPHA

Константа, определяющая ток Idrain (Level=1–3)

2,0

1/В

B

Параметр легирования (Level=2)

0,3

1/В

BETA

Коэффициент пропорциональности в выражении для тока стока

0,1

А/В

 

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

GAMMA

Параметр статической обратной связи (для Level=3)

0

 

DELTA

Параметр выходной обратной связи (для Level=3, 4)

0

(А·В)

 

Q

Показатель степени (для Level=3, 4)

2

 

RG

Объемное сопротивление области затвора

0

Ом

RD

Объемное сопротивление области стока

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока

0

Ом

CGD

Емкость затвор–сток при нулевом смещении

0

Ф

CGS

Емкость затвор–исток при нулевом смещении

0

Ф

CDS

Емкость сток–исток при нулевом смещении

0

Ф

IS

Ток насыщения p–n-перехода затвор–канал

10

 

А

TAU

Время переноса носителей заряда (Level=1–3)

0

с

M

Коэффициент лавинного умножения перехода затвора (Level=1–3)

0,5

 

N

Коэффициент неидеальности

1

 

FC

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода затвора

0,5

 

VBI

Контактная разность потенциалов pnперехода затвора

1

В

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTI

Температурный коэффициент тока IS

0

 

VDELTA

Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,2

В

VMAX

Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,5

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/

С

BETATCE

Температурный коэффициент BETA

0

%/

C

TRG1

Линейный температурный коэффициент RG

0

1/

C

TRD1

Линейный температурный коэффициент RD

0

1/

C

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

1/

C

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер–шума

0

 

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер–шума от тока через переход

1

 

T_MEASURED

Температура измерений

 

C

T_ABS

Абсолютная температура

 

C

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

 

C

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

 

C

<


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин