Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center



Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора - часть 2


/p>

Специфические параметры модели уровня Level=4

ACGAM

Коэффициент модуляции емкости

0

HFETA

Параметр обратной связи VGS на высокой частоте

0

HFE1

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VGD

0

1/В

HFE2

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VGS

0

1/В

HFGAM

Параметр обратной связи VGD на высокой частоте

0

HFG1

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VSG

0

1/В

HFG2

Коэффициент модуляции HFGAM напряжением VDG

0

1/В

IBD

Ток пробоя перехода затвора

0

А

LFGAM

Параметр обратной связи на низкой частоте

0

LFG1

Коэффициент модуляции LFGAM напряжением VSG

0

1/В

LFG2

Коэффициент модуляции LFGAM напряжением VDG

0

1/В

MXI

Параметр напряжения насыщения

0

MVST

Параметр подпороговой модуляции

0

1/В

P

Показатель степени

2

TAUD

Время релаксации тепловых процессов

0

с

TAUG

Время релаксации параметра обратной связи GAM

0

с

VBD

Потенциал пробоя перехода затвора

1

В

VST

Подпороговый потенциал

0

В

XC

Фактор уменьшения емкости разряда

0

XI

Параметр, определяющий точку излома потенциала насыщения

1000

Z

Параметр точки излома характеристики транзистора

0,5

 

Рис. 4.7.  Нелинейная (а) и линейная (б) схемы замещения арсенидгаллиевого полевого транзитора

Статический режим. Он описывается следующими соотношениями.

 1) Ток затвора равен

Ig = Igs + Igd.

Для моделей LEVEL=1–3

Igs=IS [exp(Vgs/(N·Vt)) –1];

Igd=IS [exp(Vgd/(N·Vt)) –1].

Для моделей LEVEL=4

где

2) Ток стока и истока

Id = Idrain – Igd,  Is

= –Idrain – Igs.

Ток Idrain в модели Куртиса (LEVEL=1) в нормальном режиме (Vds

0) описывается соотношениями:

В модели Рэйтеона (LEVEL=2) в нормальном режиме:




Содержание  Назад  Вперед