Диод - часть 2
/p>
Рис. 4.2. ВАХ идеального диода |
Рис. 4.1. Нелинейная модель полупроводникового диода |
Вольт-амперные характеристики диода. Ток диода представляется в виде разности токов

Зависимость

аппроксимирует ВАХ диода при положительном напряжении на переходе V. Здесь





Ток диода при отрицательном напряжении на переходе


где






– абсолютная температура p–n-перехода. Вид ВАХ диода показан на рис. 4.2.
Емкость перехода C
равна

где




Линеаризованная схема замещения диода. Схема приведена на рис. 4.3, а. Ее можно дополнить источниками шумовых токов, как показано на рис. 4.3, б. В диоде имеются следующие источники шума: объемное сопротивление RS, характеризующееся тепловым током




– текущая частота.
![]() Рис. 4.3. Линеаризованная схема замещения диода (а) с включением источников внутреннего шума (б) |
Температурные зависимости параметров. В математической модели диода они учитываются следующим образом:
IS(T) = IS·exp{EG(T)/[N·Vt(T)]T/Tnom–1)}(T/Tnom)

ISR(T)=ISR·exp{EG(T)/[N·Vt(T)](T/Tnom–1)}(T/Tnom)

IKF(T)=IKF [1+TIKF (T–Tnom)];
BV(T)=BV [1+TBV1(T–Tnom)+TBV2(T–Tnom)

RS(T)=RS [1+TRS1(T–Tnom)+TRS2(T–Tnom)

VJ(T) = VJ·T/Tnom–3Vt(T)ln(T/Tnom) –EG(Tnom)T/Tnom+EG(T);
CJO(T)= CJO{1+M[0,0004 (T–Tnom)+1–VJ(T)/VJ]};
KF(T) = KF·VJ(T)/VJ, AF(T) = AF·VJ(T)/VJ;